半导体衬底以及半导体衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380085061.X

申请日：

2023-12-01

公开(公告)号：

CN120344724A

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

内田英次小林元树

申请人：

住友金属矿山株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B29/04 C30B29/06 C30B29/16 C30B29/38 C30B33/06 H01L21/02 H01L21/322

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;霍玉娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20231201
2025-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

[2]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

[3]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[4]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[5]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[6]

制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底 [P].

朴永焕 ;

姜三默 ;

金峻渊 ;

金美贤 ;

金柱成 ;

卓泳助 .

中国专利 :CN106206863A ,2016-12-07

[7]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[8]

半导体衬底及半导体衬底的制造方法 [P].

坂口清文 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1241016A ,2000-01-12

[9]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[10]

半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102593153A ,2012-07-18

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