制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610364734.7

申请日：

2016-05-27

公开(公告)号：

CN106206863A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

朴永焕姜三默金峻渊金美贤金柱成卓泳助

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3322 H01L3312 H01L3332

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

张帆;崔卿虎

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	公开	公开
2018-12-14	授权	授权
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695160170 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016103647347 申请日:20160527

共 50 条

[1]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[2]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

[3]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

[4]

半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及形成生长层的方法 [P].

金子忠昭 ;

堂岛大地 .

中国专利 :CN115461501A ,2022-12-09

[5]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[6]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[7]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

中国专利 :CN113471144A ,2021-10-01

[8]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

日本专利 :CN113471144B ,2025-06-13

[9]

半导体材料的生长方法以及半导体衬底 [P].

刘建奇 ;

任国强 ;

王建峰 ;

徐科 ;

杨辉 .

中国专利 :CN101770941A ,2010-07-07

[10]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

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