半导体材料的生长方法以及半导体衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910247543.2

申请日：

2009-12-30

公开(公告)号：

CN101770941A

公开(公告)日：

2010-07-07

发明(设计)人：

刘建奇任国强王建峰徐科杨辉

申请人：

申请人地址：

215125 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人：

翟羽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-07	授权	授权
2010-09-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005579329 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2009102475432 申请日:20091230
2010-07-07	公开	公开

共 50 条

[1]

制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底 [P].

朴永焕 ;

姜三默 ;

金峻渊 ;

金美贤 ;

金柱成 ;

卓泳助 .

中国专利 :CN106206863A ,2016-12-07

[2]

一种半导体衬底的生长方法 [P].

任国强 ;

徐科 ;

王建峰 ;

张育民 .

中国专利 :CN101620992A ,2010-01-06

[3]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[4]

半导体衬底以及半导体器件 [P].

曲志浩 ;

谢可勋 .

中国专利 :CN118231452A ,2024-06-21

[5]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

[6]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

[7]

制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底 [P].

魏星 ;

仰庶 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

王曦 .

中国专利 :CN102299093A ,2011-12-28

[8]

半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及形成生长层的方法 [P].

金子忠昭 ;

堂岛大地 .

中国专利 :CN115461501A ,2022-12-09

[9]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[10]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

中国专利 :CN113471144A ,2021-10-01

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