半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080013387.4

申请日：

2010-03-25

公开(公告)号：

CN102362336A

公开(公告)日：

2012-02-22

发明(设计)人：

野上彰二五东仁柴田巧山本刚

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

毛立群;王忠忠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	授权	授权
2021-03-26	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 登记生效日:20210315 变更事项:专利权人变更前权利人:胜高股份有限公司变更后权利人:胜高股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社电装
2012-02-22	公开	公开
2012-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101217915023 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2010800133874 申请日:20100325

共 50 条

[1]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[2]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

[3]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[4]

半导体衬底以及半导体装置的制造方法 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN115579377A ,2023-01-06

[5]

半导体衬底、半导体衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN114188392A ,2022-03-15

[6]

半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102593153A ,2012-07-18

[7]

半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN101308783A ,2008-11-19

[8]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[9]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[10]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

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