半导体衬底以及半导体衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380061285.7

申请日：

2023-08-10

公开(公告)号：

CN119744434A

公开(公告)日：

2025-04-01

发明(设计)人：

内田英次

申请人：

株式会社希克斯

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;霍玉娟

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-04	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):H01L 21/02登记生效日:20250617变更事项:申请人变更前权利人:株式会社希克斯变更后权利人:住友金属矿山株式会社变更事项:国家或地区变更前权利人:日本变更后权利人:日本变更事项:地址变更前权利人:日本变更后权利人:日本东京都
2025-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20230810
2025-04-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[2]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

[3]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[4]

半导体衬底及半导体衬底的制造方法 [P].

坂口清文 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1241016A ,2000-01-12

[5]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[6]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[7]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[8]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[9]

制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底 [P].

朴永焕 ;

姜三默 ;

金峻渊 ;

金美贤 ;

金柱成 ;

卓泳助 .

中国专利 :CN106206863A ,2016-12-07

[10]

半导体衬底以及半导体装置的制造方法 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN115579377A ,2023-01-06

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