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半导体衬底以及半导体衬底的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380061285.7
申请日：
2023-08-10
公开(公告)号：
CN119744434A
公开(公告)日：
2025-04-01
发明(设计)人：
内田英次
申请人：
株式会社希克斯
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
代理机构：
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人：
吴大建;霍玉娟
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-04 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移IPC(主分类):H01L 21/02登记生效日:20250617变更事项:申请人变更前权利人:株式会社希克斯变更后权利人:住友金属矿山株式会社变更事项:国家或地区变更前权利人:日本变更后权利人:日本变更事项:地址变更前权利人:日本变更后权利人:日本东京都 |
| 2025-04-18 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20230810 |
| 2025-04-01 | 公开 | 公开 |