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半导体衬底以及半导体衬底的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380061285.7
申请日：
2023-08-10
公开(公告)号：
CN119744434A
公开(公告)日：
2025-04-01
发明(设计)人：
内田英次
申请人：
株式会社希克斯
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
代理机构：
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人：
吴大建;霍玉娟
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-04 专利申请权、专利权的转移 专利申请权的转移IPC(主分类):H01L 21/02登记生效日:20250617变更事项:申请人变更前权利人:株式会社希克斯变更后权利人:住友金属矿山株式会社变更事项:国家或地区变更前权利人:日本变更后权利人:日本变更事项:地址变更前权利人:日本变更后权利人:日本东京都
2025-04-18 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20230810
2025-04-01 公开 公开
共 50 条
[41]
半导体衬底的制造方法 [P]. 
舒丽丽 .
中国专利 :CN119905387A ,2025-04-29
[42]
制造半导体衬底的方法 [P]. 
中川克己 ;
米原隆夫 ;
西田彰志 ;
坂口清文 .
中国专利 :CN1156027C ,1998-09-02
[43]
制造半导体衬底的方法 [P]. 
亚历克西斯·德劳因 ;
伯哈德·阿斯帕 ;
克里斯托夫·德斯卢姆奥克斯 ;
奥利弗·勒杜 ;
克里斯托夫·菲盖 .
中国专利 :CN102623470B ,2012-08-01
[44]
半导体衬底的制造方法 [P]. 
泽田佳宏 .
中国专利 :CN106057660A ,2016-10-26
[45]
制造半导体衬底的方法 [P]. 
亚历克西斯·德劳因 ;
伯哈德·阿斯帕 ;
克里斯托夫·德斯卢姆奥克斯 ;
奥利弗·勒杜 ;
克里斯托夫·菲盖 .
中国专利 :CN101904017A ,2010-12-01
[46]
半导体衬底的制造方法 [P]. 
野上彰二 ;
山冈智则 ;
山内庄一 ;
辻信博 ;
森下敏之 .
中国专利 :CN101853786A ,2010-10-06
[47]
半导体衬底的制造方法 [P]. 
野上彰二 ;
山冈智则 ;
山内庄一 ;
山口仁 ;
柴田巧 .
中国专利 :CN100555573C ,2007-04-11
[48]
化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的制造方法以及半导体器件 [P]. 
柴田佳彦 ;
宫原真敏 ;
池田孝司 ;
国见仁久 .
中国专利 :CN101802979A ,2010-08-11
[49]
半导体装置以及用以制造半导体装置的衬底 [P]. 
余振华 ;
叶震南 ;
傅竹韵 ;
陈鼎元 .
中国专利 :CN101320732B ,2008-12-10
[50]
半导体衬底和半导体器件以及该半导体器件的制造方法 [P]. 
隈川隆博 .
中国专利 :CN101071790A ,2007-11-14
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