半导体衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311398334.4

申请日：

2023-10-26

公开(公告)号：

CN119905387A

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

舒丽丽

申请人：

东莞新科技术研究开发有限公司

申请人地址：

523087 广东省东莞市南城区宏远工业区

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

杨嘉怡

法律状态：

公开

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[2]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

[3]

半导体衬底及半导体衬底的制造方法 [P].

坂口清文 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1241016A ,2000-01-12

[4]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[5]

半导体衬底、半导体衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN114188392A ,2022-03-15

[6]

用于制造半导体衬底的方法 [P].

M·洛吉乌 .

中国专利 :CN102810466A ,2012-12-05

[7]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[8]

半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置 [P].

金子忠昭 ;

小岛清 .

中国专利 :CN114423888A ,2022-04-29

[9]

半导体衬底的制造方法及半导体衬底的制造装置 [P].

小俣贵嗣 ;

森若智昭 ;

大沼英人 .

中国专利 :CN101488471B ,2009-07-22

[10]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

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