半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置

被引：0

申请号：

CN202080065953.X

申请日：

2020-09-24

公开(公告)号：

CN114423888A

公开(公告)日：

2022-04-29

发明(设计)人：

金子忠昭小岛清

申请人：

申请人地址：

日本国兵库县

IPC主分类号：

C30B2306

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400

代理人：

方挺;侯晓艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	公开	公开
2022-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/06 申请日:20200924

共 50 条

[1]

半导体衬底的制造方法及半导体衬底的制造装置 [P].

小俣贵嗣 ;

森若智昭 ;

大沼英人 .

中国专利 :CN101488471B ,2009-07-22

[2]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[3]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[4]

半导体衬底、半导体衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN114188392A ,2022-03-15

[5]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[6]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

[7]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

[8]

半导体衬底及半导体衬底的制造方法 [P].

坂口清文 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1241016A ,2000-01-12

[9]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[10]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

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