制造半导体衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980101436.7

申请日：

2009-02-26

公开(公告)号：

CN101904017A

公开(公告)日：

2010-12-01

发明(设计)人：

亚历克西斯·德劳因伯哈德·阿斯帕克里斯托夫·德斯卢姆奥克斯奥利弗·勒杜克里斯托夫·菲盖

申请人：

申请人地址：

伯涅尼

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L27146

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

李辉;张旭东

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-01	公开	公开
2016-05-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101732608620 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2009801014367 申请公布日:20101201
2014-09-03	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101704812751 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2009801014367 变更事项:申请人变更前:硅绝缘体技术有限公司变更后:索泰克公司变更事项:地址变更前:法国伯涅尼变更后:法国伯尔宁
2011-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101038487969 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2009801014367 申请日:20090226

共 50 条

[1]

制造半导体衬底的方法 [P].

亚历克西斯·德劳因 ;

伯哈德·阿斯帕 ;

克里斯托夫·德斯卢姆奥克斯 ;

奥利弗·勒杜 ;

克里斯托夫·菲盖 .

中国专利 :CN102623470B ,2012-08-01

[2]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[3]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[4]

半导体衬底及其制造方法 [P].

克里斯托夫·菲盖 ;

克里斯托夫·布维尔 ;

塞琳·凯勒尔 ;

亚历克西斯·德劳因 ;

蒂博·莫里斯 .

中国专利 :CN101764103A ,2010-06-30

[5]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[6]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[7]

制造半导体衬底的方法 [P].

田中幸一郎 .

中国专利 :CN101599453A ,2009-12-09

[8]

制造半导体衬底的方法 [P].

中川克己 ;

米原隆夫 ;

西田彰志 ;

坂口清文 .

中国专利 :CN1156027C ,1998-09-02

[9]

半导体衬底及其制造方法，组合半导体衬底及其制造方法 [P].

西林良树 ;

仲前一男 .

中国专利 :CN107112205B ,2017-08-29

[10]

制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底 [P].

朴永焕 ;

姜三默 ;

金峻渊 ;

金美贤 ;

金柱成 ;

卓泳助 .

中国专利 :CN106206863A ,2016-12-07

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