半导体衬底及其制造方法，组合半导体衬底及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680005889.X

申请日：

2016-01-15

公开(公告)号：

CN107112205B

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

西林良树仲前一男

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2120 H01L21205 H01L21265

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749360493 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:201680005889X 申请日:20160115
2017-08-29	公开	公开
2020-12-22	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体衬底及其制造方法 [P].

竹内哲也 ;

天野浩 ;

赤崎勇 .

中国专利 :CN1285955A ,2001-02-28

[2]

半导体衬底及其制造方法 [P].

米原隆夫 .

中国专利 :CN1698180A ,2005-11-16

[3]

半导体衬底及其制造方法 [P].

秋野丰 ;

阿闭忠司 .

中国专利 :CN1145200C ,1999-08-11

[4]

半导体衬底及其制造方法 [P].

克里斯托夫·菲盖 ;

克里斯托夫·布维尔 ;

塞琳·凯勒尔 ;

亚历克西斯·德劳因 ;

蒂博·莫里斯 .

中国专利 :CN101764103A ,2010-06-30

[5]

半导体衬底及其制造方法 [P].

米原隆夫 .

中国专利 :CN101145509A ,2008-03-19

[6]

复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法 [P].

蔡敏瑛 ;

吴政达 ;

郑有宏 ;

杜友伦 .

中国专利 :CN110323229A ,2019-10-11

[7]

复合半导体衬底、半导体装置及其制造方法 [P].

蔡敏瑛 ;

吴政达 ;

郑有宏 ;

杜友伦 .

中国专利 :CN115411056A ,2022-11-29

[8]

半导体衬底及其制造方法 [P].

陈天赐 ;

李俊哲 ;

王圣民 ;

陈光雄 ;

李育颖 .

中国专利 :CN105990288B ,2016-10-05

[9]

半导体衬底及其制造方法 [P].

佐藤信彦 ;

米原隆夫 .

中国专利 :CN1156899A ,1997-08-13

[10]

半导体衬底及其制造方法 [P].

萧伟民 .

中国专利 :CN105321892A ,2016-02-10

← 1 2 3 4 5 →