半导体衬底及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96112241.2

申请日：

1996-07-19

公开(公告)号：

CN1156899A

公开(公告)日：

1997-08-13

发明(设计)人：

佐藤信彦米原隆夫

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-12-26	授权	授权
1997-08-13	公开	公开
1998-12-02	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2015-09-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101624599131 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL961122412 申请日:19960719 授权公告日:20011226 终止日期:20140719

共 50 条

[1]

半导体衬底及其制造方法 [P].

佐藤信彦 ;

米原隆夫 ;

坂口清文 .

中国专利 :CN1159071A ,1997-09-10

[2]

半导体衬底及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

永野元 ;

宫野清孝 ;

水岛一郎 .

中国专利 :CN1288717C ,2004-09-22

[3]

半导体衬底及其制造方法，组合半导体衬底及其制造方法 [P].

西林良树 ;

仲前一男 .

中国专利 :CN107112205B ,2017-08-29

[4]

半导体衬底及半导体衬底的制造方法 [P].

坂口清文 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1241016A ,2000-01-12

[5]

半导体衬底及其制造方法 [P].

竹内哲也 ;

天野浩 ;

赤崎勇 .

中国专利 :CN1285955A ,2001-02-28

[6]

半导体衬底及其制造方法 [P].

陈天赐 ;

李俊哲 ;

王圣民 ;

陈光雄 ;

李育颖 .

中国专利 :CN105990288B ,2016-10-05

[7]

半导体衬底及其制造方法 [P].

萧伟民 .

中国专利 :CN105321892A ,2016-02-10

[8]

半导体衬底及其制造方法 [P].

米原隆夫 .

中国专利 :CN1698180A ,2005-11-16

[9]

半导体衬底及其制造方法 [P].

阴正炫 ;

崔光龙 ;

宋在镐 ;

李东键 ;

李启珍 ;

崔荣宰 .

中国专利 :CN105264643B ,2016-01-20

[10]

半导体衬底及其制造方法 [P].

野上彰二 ;

山冈智则 ;

山内庄一 ;

山口仁 .

中国专利 :CN101330100A ,2008-12-24

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