半导体衬底及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510050087.8

申请日：

2015-01-30

公开(公告)号：

CN105990288B

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

陈天赐李俊哲王圣民陈光雄李育颖

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L2331 H01L21768

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

林斯凯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-05	公开	公开
2019-03-12	授权	授权
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686680674 IPC(主分类):H01L 23/485 专利申请号:2015100500878 申请日:20150130

共 50 条

[1]

半导体衬底及其制造方法，组合半导体衬底及其制造方法 [P].

西林良树 ;

仲前一男 .

中国专利 :CN107112205B ,2017-08-29

[2]

半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法 [P].

何政霖 ;

苏洹漳 ;

李志成 .

中国专利 :CN105304602A ,2016-02-03

[3]

半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法 [P].

陈天赐 ;

陈光雄 ;

王圣民 ;

李育颖 .

中国专利 :CN106158815A ,2016-11-23

[4]

半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法 [P].

李志成 ;

苏洹漳 ;

何政霖 ;

吴崇铭 ;

颜尤龙 .

中国专利 :CN105140198A ,2015-12-09

[5]

半导体衬底及其制造方法 [P].

竹内哲也 ;

天野浩 ;

赤崎勇 .

中国专利 :CN1285955A ,2001-02-28

[6]

半导体衬底及其制造方法 [P].

佐藤信彦 ;

米原隆夫 .

中国专利 :CN1156899A ,1997-08-13

[7]

半导体衬底及其制造方法 [P].

萧伟民 .

中国专利 :CN105321892A ,2016-02-10

[8]

半导体衬底及其制造方法 [P].

米原隆夫 .

中国专利 :CN1698180A ,2005-11-16

[9]

半导体衬底及其制造方法 [P].

阴正炫 ;

崔光龙 ;

宋在镐 ;

李东键 ;

李启珍 ;

崔荣宰 .

中国专利 :CN105264643B ,2016-01-20

[10]

半导体衬底及其制造方法 [P].

野上彰二 ;

山冈智则 ;

山内庄一 ;

山口仁 .

中国专利 :CN101330100A ,2008-12-24

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