制造半导体衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910141557.6

申请日：

2009-06-04

公开(公告)号：

CN101599453A

公开(公告)日：

2009-12-09

发明(设计)人：

田中幸一郎

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L21268 H01L2178 H01L2120

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

屠长存

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-09	公开	公开
2013-10-16	授权	授权
2011-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101090128204 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2009101415576 申请日:20090604
2020-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20090604 授权公告日:20131016 终止日期:20190604

共 50 条

[1]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[2]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[3]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[4]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[5]

制造半导体衬底的方法 [P].

亚历克西斯·德劳因 ;

伯哈德·阿斯帕 ;

克里斯托夫·德斯卢姆奥克斯 ;

奥利弗·勒杜 ;

克里斯托夫·菲盖 .

中国专利 :CN101904017A ,2010-12-01

[6]

制造半导体衬底的方法 [P].

中川克己 ;

米原隆夫 ;

西田彰志 ;

坂口清文 .

中国专利 :CN1156027C ,1998-09-02

[7]

制造半导体衬底的方法 [P].

亚历克西斯·德劳因 ;

伯哈德·阿斯帕 ;

克里斯托夫·德斯卢姆奥克斯 ;

奥利弗·勒杜 ;

克里斯托夫·菲盖 .

中国专利 :CN102623470B ,2012-08-01

[8]

半导体衬底及其制造方法，组合半导体衬底及其制造方法 [P].

西林良树 ;

仲前一男 .

中国专利 :CN107112205B ,2017-08-29

[9]

制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底 [P].

朴永焕 ;

姜三默 ;

金峻渊 ;

金美贤 ;

金柱成 ;

卓泳助 .

中国专利 :CN106206863A ,2016-12-07

[10]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

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