半导体衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610137580.4

申请日：

2006-09-29

公开(公告)号：

CN100555573C

公开(公告)日：

2007-04-11

发明(设计)人：

野上彰二山冈智则山内庄一山口仁柴田巧

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘元金;范赤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-28	授权	授权
2010-02-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更后权利人:胜高股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更前权利人:株式会社上睦可变更事项:专利权人变更事项:共同专利权人变更前权利人:株式会社电装变更后权利人:株式会社电装
2007-04-11	公开	公开
2007-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体衬底的制造方法 [P].

秋山昌次 ;

久保田芳宏 ;

伊藤厚雄 ;

田中好一 ;

川合信 ;

飞坂优二 .

中国专利 :CN101179014A ,2008-05-14

[2]

半导体衬底的制造方法 [P].

秋山昌次 ;

久保田芳宏 ;

伊藤厚雄 ;

田中好一 ;

川合信 ;

飞坂优二 .

中国专利 :CN104701239B ,2015-06-10

[3]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

[4]

半导体衬底及半导体衬底的制造方法 [P].

坂口清文 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1241016A ,2000-01-12

[5]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[6]

半导体衬底、半导体衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN114188392A ,2022-03-15

[7]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[8]

半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置 [P].

金子忠昭 ;

小岛清 .

中国专利 :CN114423888A ,2022-04-29

[9]

半导体衬底的制造方法及半导体衬底的制造装置 [P].

小俣贵嗣 ;

森若智昭 ;

大沼英人 .

中国专利 :CN101488471B ,2009-07-22

[10]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

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