半导体衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510117172.1

申请日：

2007-11-12

公开(公告)号：

CN104701239B

公开(公告)日：

2015-06-10

发明(设计)人：

秋山昌次久保田芳宏伊藤厚雄田中好一川合信飞坂优二

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

董雅会;向勇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616037061 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2015101171721 申请日:20071112
2015-06-10	公开	公开
2018-01-26	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体衬底的制造方法 [P].

秋山昌次 ;

久保田芳宏 ;

伊藤厚雄 ;

田中好一 ;

川合信 ;

飞坂优二 .

中国专利 :CN101179014A ,2008-05-14

[2]

半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

山冈智则 ;

山内庄一 ;

山口仁 ;

柴田巧 .

中国专利 :CN100555573C ,2007-04-11

[3]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

[4]

半导体衬底及半导体衬底的制造方法 [P].

坂口清文 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1241016A ,2000-01-12

[5]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[6]

半导体衬底、半导体衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN114188392A ,2022-03-15

[7]

半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

古山将树 ;

井坂史人 ;

下村明久 ;

桃纯平 .

中国专利 :CN101937861B ,2011-01-05

[8]

半导体衬底的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

塚本直树 ;

下村明久 .

中国专利 :CN101471248A ,2009-07-01

[9]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[10]

半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置 [P].

金子忠昭 ;

小岛清 .

中国专利 :CN114423888A ,2022-04-29

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