半导体衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610191515.3

申请日：

2016-03-30

公开(公告)号：

CN106057660A

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

泽田佳宏

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21225

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-26	公开	公开
2018-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/225 申请日:20160330
2021-05-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/225 申请公布日:20161026

共 50 条

[1]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

[2]

半导体衬底及半导体衬底的制造方法 [P].

坂口清文 ;

佐藤信彦 .

中国专利 :CN1241016A ,2000-01-12

[3]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 ;

小林元树 .

日本专利 :CN120344724A ,2025-07-18

[4]

半导体衬底、半导体衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN114188392A ,2022-03-15

[5]

半导体晶体的制造方法和半导体衬底 [P].

柴田直树 ;

平田宏治 ;

山崎史郎 ;

今井克宏 ;

岩井真 ;

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

川村史朗 .

中国专利 :CN101415868A ,2009-04-22

[6]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[7]

半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置 [P].

金子忠昭 ;

小岛清 .

中国专利 :CN114423888A ,2022-04-29

[8]

半导体衬底的制造方法及半导体衬底的制造装置 [P].

小俣贵嗣 ;

森若智昭 ;

大沼英人 .

中国专利 :CN101488471B ,2009-07-22

[9]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[10]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

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