半导体衬底及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN94113486.5

申请日：

1994-12-28

公开(公告)号：

CN1109636A

公开(公告)日：

1995-10-04

发明(设计)人：

山方宪二米原隆夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1995-08-30	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1995-10-04	公开	公开
1997-12-24	授权	授权
2007-02-28	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止

共 50 条

[1]

半导体衬底及其制造方法 [P].

佐藤信彦 ;

米原隆夫 ;

坂口清文 .

中国专利 :CN1159071A ,1997-09-10

[2]

半导体衬底及其制造方法，组合半导体衬底及其制造方法 [P].

西林良树 ;

仲前一男 .

中国专利 :CN107112205B ,2017-08-29

[3]

半导体衬底的制造方法、半导体装置及其制造方法 [P].

掛端哲弥 .

中国专利 :CN102324398A ,2012-01-18

[4]

半导体衬底及其制造工艺 [P].

迪尔克·丹特兹 ;

安德烈亚斯·许贝尔 ;

赖因霍尔德·沃利施 ;

布里安·默菲 .

中国专利 :CN1716577A ,2006-01-04

[5]

半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

古山将树 ;

井坂史人 ;

下村明久 ;

桃纯平 .

中国专利 :CN101425455A ,2009-05-06

[6]

半导体衬底及其制造方法 [P].

竹内哲也 ;

天野浩 ;

赤崎勇 .

中国专利 :CN1285955A ,2001-02-28

[7]

半导体衬底及其制造方法 [P].

陈天赐 ;

李俊哲 ;

王圣民 ;

陈光雄 ;

李育颖 .

中国专利 :CN105990288B ,2016-10-05

[8]

半导体衬底及其制造方法 [P].

佐藤信彦 ;

米原隆夫 .

中国专利 :CN1156899A ,1997-08-13

[9]

半导体衬底及其制造方法 [P].

萧伟民 .

中国专利 :CN105321892A ,2016-02-10

[10]

半导体衬底及其制造方法 [P].

米原隆夫 .

中国专利 :CN1698180A ,2005-11-16

← 1 2 3 4 5 →