半导体衬底及其制造方法、以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810173930.1

申请日：

2008-10-31

公开(公告)号：

CN101425455A

公开(公告)日：

2009-05-06

发明(设计)人：

古山将树井坂史人下村明久桃纯平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21762 H01L2184 H01L2712

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-13	授权	授权
2009-05-06	公开	公开
2021-10-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20081031 授权公告日:20130213 终止日期:20201031
2010-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101013682517 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2008101739301 申请日:20081031

共 50 条

[1]

半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

古山将树 ;

井坂史人 ;

下村明久 ;

桃纯平 .

中国专利 :CN101937861B ,2011-01-05

[2]

SOI衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

宫入秀和 ;

下村明久 ;

沟井达也 ;

比嘉荣二 ;

永野庸治 .

中国专利 :CN101308782B ,2008-11-19

[3]

半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102593153A ,2012-07-18

[4]

半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN101308783A ,2008-11-19

[5]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[6]

半导体衬底的制造方法、半导体装置及其制造方法 [P].

掛端哲弥 .

中国专利 :CN102324398A ,2012-01-18

[7]

半导体衬底的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

塚本直树 ;

下村明久 .

中国专利 :CN101471248A ,2009-07-01

[8]

半导体衬底、半导体装置以及半导体衬底的制造方法 [P].

野上彰二 ;

五东仁 ;

柴田巧 ;

山本刚 .

中国专利 :CN102362336A ,2012-02-22

[9]

半导体衬底以及半导体装置的制造方法 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN115579377A ,2023-01-06

[10]

半导体衬底、半导体衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN114188392A ,2022-03-15

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