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半导体结构的制备方法及其结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311791717.8
申请日：
2023-12-22
公开(公告)号：
CN120224713A
公开(公告)日：
2025-06-27
发明(设计)人：
于业笑
刘忠明
张也非
申请人：
长鑫科技集团股份有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/60
代理机构：
代理人：
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-27 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20231222 |