半导体结构及其制备方法

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申请号
CN202210603975.8
申请日
2022-05-31
公开(公告)号
CN114695370A
公开(公告)日
2022-07-01
发明(设计)人
沈安星 张有志 易舜
申请人
申请人地址
510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
IPC主分类号
H01L2711524
IPC分类号
H01L29423
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
张思阳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
杨怀伟 .
中国专利 :CN115835627B ,2025-10-17
[2]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
杨剑 ;
杨俊 ;
王甫 ;
朱普磊 ;
陈骁 .
中国专利 :CN118367032A ,2024-07-19
[3]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
李宗翰 .
中国专利 :CN115602629A ,2023-01-13
[4]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
张书浩 ;
汪恒 .
中国专利 :CN119300453A ,2025-01-10
[5]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
张书浩 ;
汪恒 .
中国专利 :CN119300453B ,2025-10-03
[6]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
李燕 ;
宋富冉 ;
苏烁洋 ;
周儒领 .
中国专利 :CN120187084B ,2025-08-19
[7]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
陆勇 ;
徐亚超 ;
李仁虎 .
中国专利 :CN114361259A ,2022-04-15
[8]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
李娜 .
中国专利 :CN119653838A ,2025-03-18
[9]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
宋影 ;
崔兆培 .
中国专利 :CN115763546B ,2025-10-10
[10]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
李燕 ;
宋富冉 ;
苏烁洋 ;
周儒领 .
中国专利 :CN120187084A ,2025-06-20