半导体结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211356141.8

申请日：

2022-11-01

公开(公告)号：

CN115763546B

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

宋影崔兆培

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10D64/27

IPC分类号：

H10D64/68 H10D84/01 H10D84/03 H10D84/85

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法 [P].

孟雅 ;

徐亚超 .

中国专利 :CN117995883A ,2024-05-07

[2]

半导体结构及其制备方法 [P].

杨剑 ;

杨俊 ;

王甫 ;

朱普磊 ;

陈骁 .

中国专利 :CN118367032A ,2024-07-19

[3]

半导体结构及其制备方法 [P].

薛兴坤 ;

李泽伦 ;

刘晓阳 ;

徐汉东 ;

朴仁鎬 ;

李辉 ;

顾婷婷 .

中国专利 :CN118899220A ,2024-11-05

[4]

半导体结构及其制备方法 [P].

薛兴坤 ;

李泽伦 ;

刘晓阳 ;

徐汉东 ;

朴仁鎬 ;

李辉 ;

顾婷婷 .

中国专利 :CN118899220B ,2025-10-21

[5]

半导体结构及其制备方法 [P].

杨健 .

中国专利 :CN117334564A ,2024-01-02

[6]

半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P].

白杰 .

中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01

[7]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

徐政业 ;

朱梦娜 .

中国专利 :CN114649267A ,2022-06-21

[8]

半导体结构及其制备方法 [P].

杨剑 ;

杨俊 ;

梁志炜 ;

罗幸君 ;

余家海 .

中国专利 :CN118173588A ,2024-06-11

[9]

半导体结构及其制备方法 [P].

黄鑫 ;

李弘祥 ;

王士欣 .

中国专利 :CN112864156A ,2021-05-28

[10]

半导体结构及其制备方法 [P].

沈安星 ;

张有志 ;

易舜 .

中国专利 :CN114695370A ,2022-07-01

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