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半导体结构及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410463603.9
申请日：
2024-04-17
公开(公告)号：
CN118173588A
公开(公告)日：
2024-06-11
发明(设计)人：
杨剑 杨俊 梁志炜 罗幸君 余家海
申请人：
广东芯粤能半导体有限公司
申请人地址：
511458 广东省广州市南沙区环市大道南33号
IPC主分类号：
H01L29/423
IPC分类号：
H01L29/78 H01L21/336
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
张捷美
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
山东省 青岛市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-06-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/423申请日:20240417
2024-06-11 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P]. 
白杰 .
中国专利 :CN112885780A ,2021-06-01
[2]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
杨剑 ;
杨俊 ;
王甫 ;
朱普磊 ;
陈骁 .
中国专利 :CN118367032A ,2024-07-19
[3]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
崔兆培 ;
朱柄宇 .
中国专利 :CN113097148B ,2021-07-09
[4]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
穆克军 .
中国专利 :CN118943016B ,2025-10-10
[5]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
宋影 ;
崔兆培 .
中国专利 :CN115763546B ,2025-10-10
[6]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
穆克军 .
中国专利 :CN118943016A ,2024-11-12
[7]
半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
刘洋 ;
李松雨 ;
陶大伟 .
中国专利 :CN118102710A ,2024-05-28
[8]
半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
廖学海 ;
明玉坤 ;
邹鹏 .
中国专利 :CN121099680A ,2025-12-09
[9]
半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
张旭 ;
储郁冬 ;
陆琦 ;
赵天楚 .
中国专利 :CN118866807A ,2024-10-29
[10]
半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P]. 
周维杰 ;
常靖华 .
中国专利 :CN119866047A ,2025-04-22
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