学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

半导体结构及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310015875.8
申请日：
2023-01-06
公开(公告)号：
CN115835627B
公开(公告)日：
2025-10-17
发明(设计)人：
杨怀伟
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
H10D64/27
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省 宣城市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-17 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
沈安星 ;
张有志 ;
易舜 .
中国专利 :CN114695370A ,2022-07-01
[2]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
杨剑 ;
杨俊 ;
王甫 ;
朱普磊 ;
陈骁 .
中国专利 :CN118367032A ,2024-07-19
[3]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
杨俊 ;
余家海 ;
冯锐 ;
梁晓明 ;
相奇 ;
朱普磊 .
中国专利 :CN118335783A ,2024-07-12
[4]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
李宗翰 .
中国专利 :CN115602629A ,2023-01-13
[5]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
张书浩 ;
汪恒 .
中国专利 :CN119300453A ,2025-01-10
[6]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
张书浩 ;
汪恒 .
中国专利 :CN119300453B ,2025-10-03
[7]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
李燕 ;
宋富冉 ;
苏烁洋 ;
周儒领 .
中国专利 :CN120187084B ,2025-08-19
[8]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
陆勇 ;
徐亚超 ;
李仁虎 .
中国专利 :CN114361259A ,2022-04-15
[9]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
李娜 .
中国专利 :CN119653838A ,2025-03-18
[10]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
宋影 ;
崔兆培 .
中国专利 :CN115763546B ,2025-10-10
12345