半导体结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411678553.2

申请日：

2024-11-21

公开(公告)号：

CN119653838A

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

李娜

申请人：

格兰菲智能科技股份有限公司

申请人地址：

200135 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区碧波路889号3幢11层

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D64/27 H10D30/60 H10D30/01

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

杨明莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	公开	公开
2025-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20241121

共 50 条

[1]

半导体结构结构及其制备方法 [P].

刘翔 ;

邓杰芳 .

中国专利 :CN118632513A ,2024-09-10

[2]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王岩 ;

吴卓杰 ;

唐凌 ;

丁文凤 ;

覃庆媛 .

中国专利 :CN118173505A ,2024-06-11

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王晓玲 ;

洪海涵 .

中国专利 :CN115707231B ,2025-10-03

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王晓玲 ;

洪海涵 .

中国专利 :CN115707231A ,2023-02-17

[5]

半导体结构及其制备方法 [P].

杨剑 ;

杨俊 ;

王甫 ;

朱普磊 ;

陈骁 .

中国专利 :CN118367032A ,2024-07-19

[6]

半导体结构及其制备方法 [P].

李燕 ;

宋富冉 ;

苏烁洋 ;

周儒领 .

中国专利 :CN120187084B ,2025-08-19

[7]

半导体结构及其制备方法 [P].

沈安星 ;

张有志 ;

易舜 .

中国专利 :CN114695370A ,2022-07-01

[8]

半导体结构及其制备方法 [P].

田志 ;

梁启超 ;

邵华 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN112397518B ,2024-02-27

[9]

半导体结构及其制备方法 [P].

李东琦 .

中国专利 :CN115424983A ,2022-12-02

[10]

半导体结构及其制备方法 [P].

田志 ;

梁启超 ;

邵华 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN112397518A ,2021-02-23

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