半导体结构的制备方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110926631.6

申请日：

2021-08-12

公开(公告)号：

CN115707231B

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

王晓玲洪海涵

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10D62/10

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王晓玲 ;

洪海涵 .

中国专利 :CN115707231A ,2023-02-17

[2]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王岩 ;

吴卓杰 ;

唐凌 ;

丁文凤 ;

覃庆媛 .

中国专利 :CN118173505A ,2024-06-11

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王晓玲 ;

洪海涵 .

中国专利 :CN116133368B ,2024-10-01

[4]

半导体结构的制作方法及半导体结构 [P].

肖德元 ;

余泳 ;

邵光速 .

中国专利 :CN114256158A ,2022-03-29

[5]

半导体结构的制作方法及半导体结构 [P].

肖德元 ;

余泳 ;

邵光速 .

中国专利 :CN114141714A ,2022-03-04

[6]

半导体结构的制作方法及半导体结构 [P].

肖德元 ;

余泳 ;

邵光速 .

中国专利 :CN114141713A ,2022-03-04

[7]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王子健 ;

李望 ;

李玉堂 ;

陈铭 ;

陈时杰 .

中国专利 :CN120916455A ,2025-11-07

[8]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

杨俊 ;

陈骁 ;

黄秀洪 ;

罗幸君 ;

莫丽仪 ;

相奇 .

中国专利 :CN115513061A ,2022-12-23

[9]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063141B ,2018-05-22

[10]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300453A ,2025-01-10

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