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半导体结构的制备方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410592765.2
申请日：
2024-05-14
公开(公告)号：
CN118173505A
公开(公告)日：
2024-06-11
发明(设计)人：
王岩
吴卓杰
唐凌
丁文凤
覃庆媛
申请人：
杭州积海半导体有限公司
申请人地址：
310020 浙江省杭州市钱塘新区义蓬街道江东大道3899号709-7号
IPC主分类号：
H01L21/8234
IPC分类号：
H01L21/266
H01L27/088
H01L29/423
代理机构：
上海汉之律师事务所 31378
代理人：
吴向青
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-06-28 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8234申请日:20240514 |
| 2024-06-11 | 公开 | 公开 |
| 2025-03-11 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 21/8234申请公布日:20240611 |