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半导体结构的制备方法及半导体结构

被引：0
申请号：
CN202211462914.0
申请日：
2022-11-22
公开(公告)号：
CN115513061A
公开(公告)日：
2022-12-23
发明(设计)人：
杨俊 陈骁 黄秀洪 罗幸君 莫丽仪 相奇
申请人：
申请人地址：
511458 广东省广州市南沙区环市大道南33号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978 H01L29423
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
高雪
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2023-01-10 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20221122
2022-12-23 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
王子健 ;
李望 ;
李玉堂 ;
陈铭 ;
陈时杰 .
中国专利 :CN120916455A ,2025-11-07
[2]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108063141B ,2018-05-22
[3]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
张书浩 ;
汪恒 .
中国专利 :CN119300453A ,2025-01-10
[4]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
任杰 ;
李乐 ;
王峰 ;
黄永彬 .
中国专利 :CN115910913B ,2025-12-16
[5]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
王岩 ;
吴卓杰 ;
唐凌 ;
丁文凤 ;
覃庆媛 .
中国专利 :CN118173505A ,2024-06-11
[6]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
王晓玲 ;
洪海涵 .
中国专利 :CN115707231A ,2023-02-17
[7]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
曹功勋 ;
刘峰松 .
中国专利 :CN121218667A ,2025-12-26
[8]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
王晓玲 ;
洪海涵 .
中国专利 :CN115707231B ,2025-10-03
[9]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
张书浩 ;
汪恒 .
中国专利 :CN119300453B ,2025-10-03
[10]
半导体结构制备方法及半导体结构 [P]. 
刘聪 ;
董信国 .
中国专利 :CN120936082A ,2025-11-11
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