半导体结构制备方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511135073.6

申请日：

2025-08-13

公开(公告)号：

CN120936082A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

刘聪董信国

申请人：

上海积塔半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/68 H01L21/28

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

杨明莉

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开
2025-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250813

共 50 条

[1]

半导体结构的制备方法以及半导体结构 [P].

李春山 ;

邬瑞彬 ;

贾金兰 .

中国专利 :CN115472505A ,2022-12-13

[2]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王子健 ;

李望 ;

李玉堂 ;

陈铭 ;

陈时杰 .

中国专利 :CN120916455A ,2025-11-07

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

杨俊 ;

陈骁 ;

黄秀洪 ;

罗幸君 ;

莫丽仪 ;

相奇 .

中国专利 :CN115513061A ,2022-12-23

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063141B ,2018-05-22

[5]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300453A ,2025-01-10

[6]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

任杰 ;

李乐 ;

王峰 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN115910913B ,2025-12-16

[7]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王岩 ;

吴卓杰 ;

唐凌 ;

丁文凤 ;

覃庆媛 .

中国专利 :CN118173505A ,2024-06-11

[8]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王晓玲 ;

洪海涵 .

中国专利 :CN115707231A ,2023-02-17

[9]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

曹功勋 ;

刘峰松 .

中国专利 :CN121218667A ,2025-12-26

[10]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王晓玲 ;

洪海涵 .

中国专利 :CN115707231B ,2025-10-03

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