半导体结构的制备方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510984041.7

申请日：

2025-07-16

公开(公告)号：

CN120916455A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

王子健李望李玉堂陈铭陈时杰

申请人：

广州增芯科技有限公司

申请人地址：

511356 广东省广州市增城区宁西街创优路333号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10D64/27 H10D64/23 H10D62/10

代理机构：

上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343

代理人：

张菁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	公开	公开
2025-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250716

共 50 条

[1]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

任杰 ;

李乐 ;

王峰 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN115910913B ,2025-12-16

[2]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

郭祝 ;

王宇 ;

陈勇树 .

中国专利 :CN118073192A ,2024-05-24

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

杨蒙蒙 ;

白杰 .

中国专利 :CN114765107A ,2022-07-19

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

杨俊 ;

陈骁 ;

黄秀洪 ;

罗幸君 ;

莫丽仪 ;

相奇 .

中国专利 :CN115513061A ,2022-12-23

[5]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

陈维邦 .

中国专利 :CN117423714A ,2024-01-19

[6]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063141B ,2018-05-22

[7]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300453A ,2025-01-10

[8]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王岩 ;

吴卓杰 ;

唐凌 ;

丁文凤 ;

覃庆媛 .

中国专利 :CN118173505A ,2024-06-11

[9]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

肖冲 .

中国专利 :CN117334630A ,2024-01-02

[10]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

陈维邦 .

中国专利 :CN117423714B ,2024-04-05

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