半导体结构的制备方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310780399.9

申请日：

2023-06-28

公开(公告)号：

CN119300453B

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

张书浩汪恒

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H10D84/83 H10D64/27

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-10	公开	公开
2025-10-03	授权	授权
2025-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20230628

共 50 条

[1]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300453A ,2025-01-10

[2]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张甍 ;

曹学文 ;

李亨 ;

颜天才 ;

杨列勇 .

中国专利 :CN117637595A ,2024-03-01

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063141B ,2018-05-22

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN116156868B ,2025-10-28

[5]

半导体制造方法及半导体结构 [P].

盛洪斌 ;

曹学文 ;

颜天才 ;

杨列勇 .

中国专利 :CN118969715A ,2024-11-15

[6]

半导体结构的制作方法及半导体结构 [P].

黄其赞 .

中国专利 :CN117594524A ,2024-02-23

[7]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

刘攀 ;

郭亮 ;

吴贤勇 ;

游国忠 .

中国专利 :CN119008396A ,2024-11-22

[8]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

尤康 ;

白杰 .

中国专利 :CN112838047A ,2021-05-25

[9]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王子健 ;

李望 ;

李玉堂 ;

陈铭 ;

陈时杰 .

中国专利 :CN120916455A ,2025-11-07

[10]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

杨俊 ;

陈骁 ;

黄秀洪 ;

罗幸君 ;

莫丽仪 ;

相奇 .

中国专利 :CN115513061A ,2022-12-23

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