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半导体结构的制备方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910210571.0
申请日：
2019-03-20
公开(公告)号：
CN109950301A
公开(公告)日：
2019-06-28
发明(设计)人：
刘张李
莘海维
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L21336
H01L2978
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
屈蘅
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-06-28 | 公开 | 公开 |
| 2019-07-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190320 |