半导体结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510638096.2

申请日：

2025-05-19

公开(公告)号：

CN120187084A

公开(公告)日：

2025-06-20

发明(设计)人：

李燕宋富冉苏烁洋周儒领

申请人：

晶芯成（北京）科技有限公司合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/27

代理机构：

北京布瑞知识产权代理有限公司 11505

代理人：

江作舟

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	公开	公开
2025-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250519
2025-08-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法 [P].

李燕 ;

宋富冉 ;

苏烁洋 ;

周儒领 .

中国专利 :CN120187084B ,2025-08-19

[2]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

张旭 ;

储郁冬 ;

陆琦 ;

赵天楚 .

中国专利 :CN118866807A ,2024-10-29

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王子健 ;

李望 ;

李玉堂 ;

陈铭 ;

陈时杰 .

中国专利 :CN120916455A ,2025-11-07

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

任杰 ;

李乐 ;

王峰 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN115910913B ,2025-12-16

[5]

半导体结构及其制备方法 [P].

田志 ;

梁启超 ;

邵华 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN112397518B ,2024-02-27

[6]

半导体结构及其制备方法 [P].

田志 ;

梁启超 ;

邵华 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN112397518A ,2021-02-23

[7]

半导体结构及其制备方法 [P].

廖黎明 ;

仇峰 ;

张蔷 ;

张炜虎 .

中国专利 :CN115458398A ,2022-12-09

[8]

半导体结构及其制备方法 [P].

吴建山 ;

许培育 ;

江丽贞 ;

张议丹 ;

潘超 ;

林志程 .

中国专利 :CN119521660B ,2025-10-21

[9]

半导体结构及其制备方法 [P].

吴建山 ;

许培育 ;

江丽贞 ;

张议丹 ;

潘超 ;

林志程 .

中国专利 :CN119521660A ,2025-02-25

[10]

半导体结构及其制备方法、半导体装置 [P].

潘俊波 ;

梁添 ;

张雯 .

中国专利 :CN115116968A ,2022-09-27

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