半导体结构的制备方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510803640.4

申请日：

2025-06-16

公开(公告)号：

CN120674303A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

张奕航叶蕾刘俊黄永彬

申请人：

上海积塔半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H10D62/10 H10D62/60 H10D62/00

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

杨明莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250616
2025-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件 [P].

杨国文 ;

惠利省 .

中国专利 :CN114783869A ,2022-07-22

[2]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

刘攀 ;

郭亮 ;

吴贤勇 ;

游国忠 .

中国专利 :CN119008396A ,2024-11-22

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

尤康 ;

白杰 .

中国专利 :CN112838047A ,2021-05-25

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

白杰 ;

尤康 .

中国专利 :CN114695269A ,2022-07-01

[5]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王子健 ;

李望 ;

李玉堂 ;

陈铭 ;

陈时杰 .

中国专利 :CN120916455A ,2025-11-07

[6]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

岳秀利 ;

廖黎明 ;

张蔷 ;

仇峰 .

中国专利 :CN119866056A ,2025-04-22

[7]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

杨俊 ;

陈骁 ;

黄秀洪 ;

罗幸君 ;

莫丽仪 ;

相奇 .

中国专利 :CN115513061A ,2022-12-23

[8]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063141B ,2018-05-22

[9]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

于海龙 ;

董信国 ;

任森 ;

孟昭生 .

中国专利 :CN117672834A ,2024-03-08

[10]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300453A ,2025-01-10

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