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半导体结构的制备方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410007195.6
申请日：
2024-01-03
公开(公告)号：
CN117672834A
公开(公告)日：
2024-03-08
发明(设计)人：
于海龙
董信国
任森
孟昭生
申请人：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址：
200135 上海市浦东新区云水路600号
IPC主分类号：
H01L21/28
IPC分类号：
H01L29/06
H01L21/336
H01L29/78
H01L29/417
代理机构：
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
邓云鹏
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-08 | 公开 | 公开 |
| 2024-03-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20240103 |