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半导体结构的制备方法及半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411741193.6
申请日：
2024-11-28
公开(公告)号：
CN119626900A
公开(公告)日：
2025-03-14
发明(设计)人：
崔国超
李斌生
阮炯明
申请人：
上海光通信有限公司
申请人地址：
201821 上海市嘉定区徐行镇世盛路528号
IPC主分类号：
H01L21/308
IPC分类号：
H01L21/027
H01L21/033
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
闫洁;刘芳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-03-14 | 公开 | 公开 |
| 2025-04-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/308申请日:20241128 |