半导体结构的制备方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411769445.6

申请日：

2024-12-03

公开(公告)号：

CN119698062A

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

金阳

申请人：

无锡沧海云帆电子科技有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新吴区长江路21号信息产业科技园D栋三楼330

IPC主分类号：

H10D86/01

IPC分类号：

H10D86/00

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

白淑君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 86/01申请日:20241203
2025-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

金阳 .

中国专利 :CN119677166A ,2025-03-21

[2]

半导体结构制备方法及半导体结构 [P].

钱忠健 ;

陈晓亮 ;

陈天 .

中国专利 :CN114582793A ,2022-06-03

[3]

制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件 [P].

杨国文 ;

惠利省 .

中国专利 :CN114783869A ,2022-07-22

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张强 .

中国专利 :CN113851584A ,2021-12-28

[5]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300453A ,2025-01-10

[6]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300453B ,2025-10-03

[7]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张强 .

中国专利 :CN113851584B ,2025-02-11

[8]

半导体结构及其制备方法 [P].

金阳 .

中国专利 :CN119677165A ,2025-03-21

[9]

半导体栅极结构的制备方法及半导体结构 [P].

胡迎宾 ;

郭廷晃 ;

郭哲劭 ;

王涛涛 .

中国专利 :CN119069345B ,2025-03-18

[10]

半导体栅极结构的制备方法及半导体结构 [P].

胡迎宾 ;

郭廷晃 ;

郭哲劭 ;

王涛涛 .

中国专利 :CN119069345A ,2024-12-03

← 1 2 3 4 5 →