一种半导体结构的制备方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411764280.3

申请日：

2024-12-03

公开(公告)号：

CN119677166A

公开(公告)日：

2025-03-21

发明(设计)人：

金阳

申请人：

无锡沧海云帆电子科技有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新吴区长江路21号信息产业科技园D栋三楼330

IPC主分类号：

H10D86/01

IPC分类号：

H10D86/00 H10D64/01 H10D64/27

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

白淑君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 86/01申请日:20241203
2025-03-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

金阳 .

中国专利 :CN119698062A ,2025-03-25

[2]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300453A ,2025-01-10

[3]

半导体结构制备方法及半导体结构 [P].

钱忠健 ;

陈晓亮 ;

陈天 .

中国专利 :CN114582793A ,2022-06-03

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300453B ,2025-10-03

[5]

一种制造半导体结构的方法及半导体结构 [P].

金玄永 ;

郭挑远 ;

徐康元 ;

高建峰 ;

刘卫兵 ;

杨涛 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN114628389A ,2022-06-14

[6]

制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件 [P].

杨国文 ;

惠利省 .

中国专利 :CN114783869A ,2022-07-22

[7]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

张磊 ;

兰川 ;

黎明 ;

王润声 ;

黄如 .

中国专利 :CN120497252A ,2025-08-15

[8]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

李项 ;

卢浩然 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN120916472A ,2025-11-07

[9]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

刘攀 ;

郭亮 ;

吴贤勇 ;

游国忠 .

中国专利 :CN119008396A ,2024-11-22

[10]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张甍 ;

曹学文 ;

李亨 ;

颜天才 ;

杨列勇 .

中国专利 :CN117637595A ,2024-03-01

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