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一种制造半导体结构的方法及半导体结构

被引：0
申请号：
CN202011455578.8
申请日：
2020-12-10
公开(公告)号：
CN114628389A
公开(公告)日：
2022-06-14
发明(设计)人：
金玄永 郭挑远 徐康元 高建峰 刘卫兵 杨涛 李俊峰 王文武
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
H01L218242 H01L23528 H01L21768 H01L29423 H01L2128
代理机构：
北京华沛德权律师事务所 11302
代理人：
房德权
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-01 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20201210
2022-06-14 公开 公开
共 50 条
[1]
一种半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
金阳 .
中国专利 :CN119677166A ,2025-03-21
[2]
半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
吴恒 ;
李项 ;
卢浩然 ;
王润声 ;
黎明 ;
黄如 .
中国专利 :CN120916472A ,2025-11-07
[3]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
金阳 .
中国专利 :CN119698062A ,2025-03-25
[4]
半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件 [P]. 
刘军 .
中国专利 :CN111180383A ,2020-05-19
[5]
半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
耿佳 ;
邓元吉 ;
卢俊玮 .
中国专利 :CN120565500A ,2025-08-29
[6]
半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
耿佳 ;
邓元吉 ;
卢俊玮 .
中国专利 :CN120565500B ,2025-10-31
[7]
半导体结构、半导体结构的制造方法及半导体器件 [P]. 
蒋国梁 ;
杨军 .
中国专利 :CN120233637A ,2025-07-01
[8]
半导体结构及半导体结构的制造方法 [P]. 
龙强 .
中国专利 :CN114530493A ,2022-05-24
[9]
制造半导体结构的方法及半导体结构 [P]. 
黄竞加 ;
廖伟明 .
中国专利 :CN113380714B ,2024-03-26
[10]
半导体结构及半导体结构的制造方法 [P]. 
刘然 ;
郑威 ;
徐华超 .
中国专利 :CN121123118A ,2025-12-12
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