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半导体结构及半导体结构的制造方法

被引：0
申请号：
CN202011324586.9
申请日：
2020-11-23
公开(公告)号：
CN114530493A
公开(公告)日：
2022-05-24
发明(设计)人：
龙强
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L29423
IPC分类号：
H01L2949 H01L2128
代理机构：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260
代理人：
成丽杰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-05-24 公开 公开
2022-06-10 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20201123
共 50 条
[1]
半导体结构及半导体结构的制造方法 [P]. 
龙强 .
中国专利 :CN114530493B ,2024-05-03
[2]
半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件 [P]. 
刘军 .
中国专利 :CN111180383A ,2020-05-19
[3]
半导体结构、半导体芯片及半导体结构的制造方法 [P]. 
林瑄智 .
中国专利 :CN111863819A ,2020-10-30
[4]
半导体结构、半导体芯片及半导体结构的制造方法 [P]. 
林瑄智 .
中国专利 :CN111863819B ,2024-03-29
[5]
半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
耿佳 ;
邓元吉 ;
卢俊玮 .
中国专利 :CN120565500A ,2025-08-29
[6]
半导体结构的制造方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
耿佳 ;
邓元吉 ;
卢俊玮 .
中国专利 :CN120565500B ,2025-10-31
[7]
半导体结构、半导体结构的制造方法及半导体器件 [P]. 
蒋国梁 ;
杨军 .
中国专利 :CN120233637A ,2025-07-01
[8]
半导体结构以及半导体结构的制造方法 [P]. 
何昆政 ;
陈旷举 ;
刘汉英 .
中国专利 :CN113764524A ,2021-12-07
[9]
半导体结构的制造方法及半导体结构 [P]. 
乔梦竹 .
中国专利 :CN114203624A ,2022-03-18
[10]
半导体结构的制造方法及半导体结构 [P]. 
李婷 ;
周厚宏 .
中国专利 :CN114725005A ,2022-07-08
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