半导体结构以及半导体结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110409620.0

申请日：

2021-04-16

公开(公告)号：

CN113764524A

公开(公告)日：

2021-12-07

发明(设计)人：

何昆政陈旷举刘汉英

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王涛;任默闻

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210416
2021-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件 [P].

刘军 .

中国专利 :CN111180383A ,2020-05-19

[2]

半导体结构以及半导体结构制造方法 [P].

林君明 .

中国专利 :CN118136601A ,2024-06-04

[3]

半导体结构以及制造半导体结构的方法 [P].

高琬贻 ;

林洪正 ;

张哲豪 ;

卢永诚 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113270485B ,2025-03-25

[4]

半导体结构以及半导体结构的制造方法 [P].

黄仲强 ;

钟基伟 ;

蔡茹宜 .

中国专利 :CN120730726A ,2025-09-30

[5]

半导体结构以及制造半导体结构的方法 [P].

阎红雯 ;

理查德·S.·怀斯 ;

宋均镛 ;

张郢 ;

陈自强 ;

杨美基 ;

拉贾劳·加米 ;

穆科施·V.·卡里 .

中国专利 :CN101083267A ,2007-12-05

[6]

半导体结构以及半导体结构的制造方法 [P].

袁可方 ;

罗杰 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN110931354A ,2020-03-27

[7]

制造半导体结构的方法、以及半导体结构 [P].

谢佩芳 ;

王怡超 ;

陈亮吟 ;

何柏慷 ;

萧竹言 ;

黄才育 ;

陈建豪 .

中国专利 :CN120857542A ,2025-10-28

[8]

制造半导体结构的方法以及半导体结构 [P].

H-J·舒尔策 ;

M·聪德尔 ;

A·毛德 ;

A·梅瑟 ;

F·希尔勒 ;

H·韦伯 .

中国专利 :CN104701160A ,2015-06-10

[9]

半导体结构的制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106684042B ,2017-05-17

[10]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

张静 ;

许宗能 ;

朱梦媚 .

中国专利 :CN115527860A ,2022-12-27

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