制造半导体结构的方法、以及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510903882.0

申请日：

2025-07-01

公开(公告)号：

CN120857542A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

谢佩芳王怡超陈亮吟何柏慷萧竹言黄才育陈建豪

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/62

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250701

共 50 条

[1]

半导体结构的制造方法以及相关半导体结构 [P].

比什-因·阮 ;

玛丽亚姆·萨达卡 ;

C·马勒维尔 .

中国专利 :CN105448665A ,2016-03-30

[2]

半导体结构以及半导体结构制造方法 [P].

林君明 .

中国专利 :CN118136601A ,2024-06-04

[3]

半导体结构以及制造半导体结构的方法 [P].

高琬贻 ;

林洪正 ;

张哲豪 ;

卢永诚 ;

徐志安 .

中国专利 :CN113270485B ,2025-03-25

[4]

半导体结构以及半导体结构的制造方法 [P].

黄仲强 ;

钟基伟 ;

蔡茹宜 .

中国专利 :CN120730726A ,2025-09-30

[5]

半导体结构以及制造半导体结构的方法 [P].

阎红雯 ;

理查德·S.·怀斯 ;

宋均镛 ;

张郢 ;

陈自强 ;

杨美基 ;

拉贾劳·加米 ;

穆科施·V.·卡里 .

中国专利 :CN101083267A ,2007-12-05

[6]

半导体结构以及半导体结构的制造方法 [P].

袁可方 ;

罗杰 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN110931354A ,2020-03-27

[7]

制造半导体结构的方法以及半导体结构 [P].

H-J·舒尔策 ;

M·聪德尔 ;

A·毛德 ;

A·梅瑟 ;

F·希尔勒 ;

H·韦伯 .

中国专利 :CN104701160A ,2015-06-10

[8]

半导体结构以及半导体结构的制造方法 [P].

何昆政 ;

陈旷举 ;

刘汉英 .

中国专利 :CN113764524A ,2021-12-07

[9]

半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件 [P].

刘军 .

中国专利 :CN111180383A ,2020-05-19

[10]

半导体结构和半导体结构制造方法以及半导体器件 [P].

孙涛 ;

张帅 ;

冯家驹 .

中国专利 :CN118016698A ,2024-05-10

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