半导体结构以及制造半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110241924.0

申请日：

2021-03-04

公开(公告)号：

CN113270485B

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

高琬贻林洪正张哲豪卢永诚徐志安

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D62/17

IPC分类号：

H10D30/01 H10D30/62

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

赵艳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-25	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构以及制造半导体结构的方法 [P].

阎红雯 ;

理查德·S.·怀斯 ;

宋均镛 ;

张郢 ;

陈自强 ;

杨美基 ;

拉贾劳·加米 ;

穆科施·V.·卡里 .

中国专利 :CN101083267A ,2007-12-05

[2]

半导体结构以及半导体结构制造方法 [P].

林君明 .

中国专利 :CN118136601A ,2024-06-04

[3]

半导体结构以及半导体结构的制造方法 [P].

黄仲强 ;

钟基伟 ;

蔡茹宜 .

中国专利 :CN120730726A ,2025-09-30

[4]

半导体结构以及半导体结构的制造方法 [P].

袁可方 ;

罗杰 ;

胡敏达 .

中国专利 :CN110931354A ,2020-03-27

[5]

制造半导体结构的方法、以及半导体结构 [P].

谢佩芳 ;

王怡超 ;

陈亮吟 ;

何柏慷 ;

萧竹言 ;

黄才育 ;

陈建豪 .

中国专利 :CN120857542A ,2025-10-28

[6]

制造半导体结构的方法以及半导体结构 [P].

H-J·舒尔策 ;

M·聪德尔 ;

A·毛德 ;

A·梅瑟 ;

F·希尔勒 ;

H·韦伯 .

中国专利 :CN104701160A ,2015-06-10

[7]

半导体结构以及半导体结构的制造方法 [P].

何昆政 ;

陈旷举 ;

刘汉英 .

中国专利 :CN113764524A ,2021-12-07

[8]

半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件 [P].

刘军 .

中国专利 :CN111180383A ,2020-05-19

[9]

半导体结构和半导体结构制造方法以及半导体器件 [P].

孙涛 ;

张帅 ;

冯家驹 .

中国专利 :CN118016698A ,2024-05-10

[10]

半导体结构以及用于制造半导体结构的方法 [P].

J.克里茨 ;

N.乌尔班斯基 .

中国专利 :CN103137597A ,2013-06-05

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