半导体栅极结构的制备方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411555633.9

申请日：

2024-11-04

公开(公告)号：

CN119069345B

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

胡迎宾郭廷晃郭哲劭王涛涛

申请人：

晶芯成（北京）科技有限公司合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

IPC主分类号：

H01L21/28

IPC分类号：

H10D62/17 H10D64/01 H10D64/27

代理机构：

北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11804

代理人：

杜丹丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20241104
2024-12-03	公开	公开
2025-03-18	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体栅极结构的制备方法及半导体结构 [P].

胡迎宾 ;

郭廷晃 ;

郭哲劭 ;

王涛涛 .

中国专利 :CN119069345A ,2024-12-03

[2]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

闫祥宇 ;

滕飞宇 ;

王润声 ;

黄如 .

中国专利 :CN120730800A ,2025-09-30

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

白杰 ;

尤康 .

中国专利 :CN114695269A ,2022-07-01

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

金星 ;

宣锋 ;

程明霞 .

中国专利 :CN118900558A ,2024-11-05

[5]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

白杰 ;

尤康 .

中国专利 :CN114695269B ,2024-07-23

[6]

半导体结构/栅极结构制备方法、半导体结构及栅极结构 [P].

张冲 .

中国专利 :CN117766380A ,2024-03-26

[7]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

卢经文 .

中国专利 :CN114664743A ,2022-06-24

[8]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

金阳 .

中国专利 :CN119698062A ,2025-03-25

[9]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

刘张李 ;

孔蔚然 .

中国专利 :CN110071046A ,2019-07-30

[10]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

卢经文 .

中国专利 :CN114664743B ,2024-07-23

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