半导体结构及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111007359.8
申请日
2021-08-30
公开(公告)号
CN113725165A
公开(公告)日
2021-11-30
发明(设计)人
巩金峰 林志成
申请人
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H01L218242
IPC分类号
H01L27108
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
史治法
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
赵月梅 ;
孙武 ;
徐若男 ;
韩宝东 .
中国专利 :CN111834197A ,2020-10-27
[2]
半导体结构的制备方法及其结构 [P]. 
于业笑 ;
刘忠明 ;
张也非 .
中国专利 :CN120224713A ,2025-06-27
[3]
半导体结构,半导体结构制备方法及其用途 [P]. 
吴公一 ;
徐朋辉 ;
陈龙阳 .
中国专利 :CN110943070A ,2020-03-31
[4]
半导体结构,半导体结构制备方法及其用途 [P]. 
吴公一 ;
徐朋辉 ;
陈龙阳 .
中国专利 :CN110943070B ,2025-08-08
[5]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
杨蒙蒙 ;
王晓玲 .
中国专利 :CN113097133A ,2021-07-09
[6]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
韩清华 .
中国专利 :CN117693192B ,2025-01-10
[7]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
李永祥 ;
李杰 ;
邓柱超 .
中国专利 :CN120417376A ,2025-08-01
[8]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119486169B ,2025-10-14
[9]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
李敏 .
中国专利 :CN114944395A ,2022-08-26
[10]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
杨正杰 .
中国专利 :CN115589718A ,2023-01-10