半导体结构，半导体结构制备方法及其用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811117587.9

申请日：

2018-09-21

公开(公告)号：

CN110943070B

公开(公告)日：

2025-08-08

发明(设计)人：

吴公一徐朋辉陈龙阳

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/528 H01L21/768

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构，半导体结构制备方法及其用途 [P].

吴公一 ;

徐朋辉 ;

陈龙阳 .

中国专利 :CN110943070A ,2020-03-31

[2]

半导体结构 [P].

吴公一 ;

徐朋辉 ;

陈龙阳 .

中国专利 :CN208938962U ,2019-06-04

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

刘洋 ;

李婷 ;

周文鑫 ;

赵西连 ;

韩小虎 .

中国专利 :CN119654063A ,2025-03-18

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

刘洋 ;

李婷 ;

周文鑫 ;

赵西连 ;

韩小虎 .

中国专利 :CN119654063B ,2025-06-27

[5]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

杨铧 ;

刘攀 .

中国专利 :CN119833470A ,2025-04-15

[6]

半导体结构及其制备方法 [P].

杨蒙蒙 ;

王晓玲 .

中国专利 :CN113097133A ,2021-07-09

[7]

半导体结构及其制备方法 [P].

李文超 ;

林政纬 ;

贾涛 ;

罗成 .

中国专利 :CN120980906A ,2025-11-18

[8]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

廖学海 ;

明玉坤 ;

邹鹏 .

中国专利 :CN121099680A ,2025-12-09

[9]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

廖学海 ;

明玉坤 ;

邹鹏 .

中国专利 :CN121078782A ,2025-12-05

[10]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

王润声 ;

黎明 ;

卢浩然 ;

孙嘉诚 ;

黄如 .

中国专利 :CN117832173A ,2024-04-05

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