半导体结构及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511483770.0
申请日
2025-10-17
公开(公告)号
CN120980906A
公开(公告)日
2025-11-18
发明(设计)人
李文超 林政纬 贾涛 罗成
申请人
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址
230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号
H10D30/01
IPC分类号
H10D30/60
代理机构
北京布瑞知识产权代理有限公司 11505
代理人
江作舟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
天津市 市辖区
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共 50 条
[1]
半导体结构,半导体结构制备方法及其用途 [P]. 
吴公一 ;
徐朋辉 ;
陈龙阳 .
中国专利 :CN110943070A ,2020-03-31
[2]
半导体结构,半导体结构制备方法及其用途 [P]. 
吴公一 ;
徐朋辉 ;
陈龙阳 .
中国专利 :CN110943070B ,2025-08-08
[3]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
杨蒙蒙 ;
王晓玲 .
中国专利 :CN113097133A ,2021-07-09
[4]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
邵光速 .
中国专利 :CN118076092A ,2024-05-24
[5]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
王路广 .
中国专利 :CN115623774A ,2023-01-17
[6]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
王路广 .
中国专利 :CN115643751A ,2023-01-24
[7]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
王路广 .
中国专利 :CN115643751B ,2025-11-21
[8]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
王路广 .
中国专利 :CN115623774B ,2025-11-21
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN112151607A ,2020-12-29
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN111755513A ,2020-10-09