半导体结构及其制备方法

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申请号
CN202110783362.2
申请日
2021-07-12
公开(公告)号
CN115623774A
公开(公告)日
2023-01-17
发明(设计)人
王路广
申请人
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H10B1200
IPC分类号
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
成亚婷
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
王路广 .
中国专利 :CN115643751A ,2023-01-24
[2]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
王路广 .
中国专利 :CN115643751B ,2025-11-21
[3]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
王路广 .
中国专利 :CN115623774B ,2025-11-21
[4]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
邵光速 .
中国专利 :CN118076092A ,2024-05-24
[5]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
李文超 ;
林政纬 ;
贾涛 ;
罗成 .
中国专利 :CN120980906A ,2025-11-18
[6]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
胡丙林 .
中国专利 :CN119277763A ,2025-01-07
[7]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
闫晓东 ;
顾代建 ;
徐海南 ;
李扬 .
中国专利 :CN120676689A ,2025-09-19
[8]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
尹春山 .
中国专利 :CN119300341B ,2025-10-14
[9]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
尹春山 .
中国专利 :CN119300341A ,2025-01-10
[10]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
郭帅 .
中国专利 :CN116133391B ,2025-05-30