半导体结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510812096.X

申请日：

2025-06-17

公开(公告)号：

CN120676689A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

闫晓东顾代建徐海南李扬

申请人：

长鑫科技集团股份有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/27 H10D64/66

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260

代理人：

成丽杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250617
2025-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法 [P].

邵光速 .

中国专利 :CN118076092A ,2024-05-24

[2]

半导体结构及其制备方法 [P].

王路广 .

中国专利 :CN115623774A ,2023-01-17

[3]

半导体结构及其制备方法 [P].

尹春山 .

中国专利 :CN119300341B ,2025-10-14

[4]

半导体结构及其制备方法 [P].

王路广 .

中国专利 :CN115643751A ,2023-01-24

[5]

半导体结构及其制备方法 [P].

尹春山 .

中国专利 :CN119300341A ,2025-01-10

[6]

半导体结构及其制备方法 [P].

曹雪婷 ;

庞洪荣 ;

单亚兵 ;

林旭 ;

仇峰 ;

王恒宇 .

中国专利 :CN118099090A ,2024-05-28

[7]

半导体结构及其制备方法 [P].

殷华湘 ;

毛淑娟 ;

刘战峰 ;

张兆浩 ;

张青竹 ;

罗彦娜 ;

周娜 ;

罗军 .

中国专利 :CN113871385A ,2021-12-31

[8]

半导体结构及其制备方法 [P].

王路广 .

中国专利 :CN115643751B ,2025-11-21

[9]

半导体结构及其制备方法 [P].

李文超 ;

林政纬 ;

贾涛 ;

罗成 .

中国专利 :CN120980906A ,2025-11-18

[10]

半导体结构及其制备方法 [P].

王路广 .

中国专利 :CN115623774B ,2025-11-21

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