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半导体结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411449809.2
申请日：
2024-10-16
公开(公告)号：
CN119486169B
公开(公告)日：
2025-10-14
发明(设计)人：
唐怡
申请人：
长鑫科技集团股份有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/67
H10D62/80
H10D64/01
H10D64/62
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-03-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241016 |
| 2025-10-14 | 授权 | 授权 |
| 2025-02-18 | 公开 | 公开 |